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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
87
Intorno -149% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
35
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2731
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
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