RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
87
Intorno -314% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
21
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3437
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link