RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
21.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
17.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
87
Intorno -412% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
17
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
21.6
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3702
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link