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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
87
Intorno -211% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
28
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3519
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
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