RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
15.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
87
Intorno -335% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
20
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3217
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link