RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
87
Intorno -200% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
29
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3552
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link