RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
87
Intorno -156% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
34
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3243
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link