RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
11.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
87
Intorno -142% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
36
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2417
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link