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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
5.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
87
Intorno -263% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
24
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2130
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
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