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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
87
Intorno -172% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
5300
Intorno 4.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
32
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
23400
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3368
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
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