RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
87
Intorno -200% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
29
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3113
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link