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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
15.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
87
Intorno -172% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
32
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3621
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
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