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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
12.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
87
Intorno -129% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
38
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2283
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
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