RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
87
Intorno -335% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
20
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3483
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link