RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
87
Intorno -181% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
31
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
16.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3729
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-YH0 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link