RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
9.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
87
Intorno -118% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
40
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2411
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link