RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
9.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
87
Intorno -172% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
32
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2386
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link