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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
87
Intorno -222% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
27
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3029
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
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