RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
74
87
Intorno -18% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
74
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
1616
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link