RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
AMD R744G2606U1S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
53
76
Intorno 30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R744G2606U1S 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
76
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
1809
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link