RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
53
Intorno -130% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
23
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2938
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link