RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
53
Intorno -83% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
29
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3143
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link