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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
53
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
50
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2424
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
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Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
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