RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
53
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
37
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2712
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link