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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
53
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
34
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3199
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
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