RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
53
Intorno -104% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
26
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3635
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link