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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
53
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
28
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3537
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
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