RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
53
Intorno -179% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.1
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
19
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
17.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3821
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link