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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
53
Intorno -179% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.1
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
19
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
17.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3821
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
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