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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
53
Intorno -83% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
29
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3736
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-RD 4GB
Crucial Technology BLS4G3N18AES4.16FE 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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