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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
53
Intorno -141% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
22
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3929
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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