RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
53
74
Intorno 28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
74
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
1779
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link