RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
53
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.9
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
41
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
8.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2126
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link