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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Motivi da considerare
InnoDisk Corporation 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
53
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
7.7
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
38
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2163
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
InnoDisk Corporation 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
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Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
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