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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
6400
1900
Intorno 3.37% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
53
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
1,590.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
45
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
1900
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2387
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
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