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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
53
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17500
6400
Intorno 2.73 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
52
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
10.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17500
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2319
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
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