RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
53
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
48
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
10.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2431
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link