RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
96
Intorno -269% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
26
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
3055
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link