RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
96
Intorno -336% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
22
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
3135
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link