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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
12.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
96
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
48
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
3061
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
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Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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