RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
96
Intorno -231% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
29
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
2968
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link