RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Kingston KCDT82-MIE 4GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
96
Intorno -153% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
38
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
2302
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link