RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
96
Intorno -210% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
31
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
2954
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link