RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
96
Intorno -129% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
42
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
2181
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Transcend Information TS9W9NESD-I 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link