RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
96
Intorno -220% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
6400
Intorno 3.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
30
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
23400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
3310
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link