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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Motivi da considerare
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
56
96
Intorno -71% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
7.5
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
4.4
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
56
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
7.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
4.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
1598
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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