RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
96
Intorno -153% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.1
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
38
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
1493
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link