RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
96
Intorno -182% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
34
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
2786
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link