RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
96
Intorno -231% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
29
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
3014
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link