RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Confronto
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
44
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
25
Velocità di lettura, GB/s
10.9
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1853
3910
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link