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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Confronto
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
44
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
39
Velocità di lettura, GB/s
10.9
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1853
2183
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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